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2SJ683-TL-E 零件图片（仅供参考）

2SJ683-TL-E
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2SJ683-TL-E 规格参数

  • 制造商产品型号: 2SJ683-TL-E
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 60V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 65A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 10.5 毫欧 @ 33A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 290nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 15500pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 50W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 3-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装: ZP
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2SJ683-TL-E 基本参数：

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