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规格参数
制造商产品型号: FCB110N65F制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK系列: FRFET,SuperFET IIFET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 35A(Tc)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 110 毫欧 @ 17.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 3.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 145nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4895pF @ 100V功率 - 最大值: 357W安装类型: *产品封装: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装: *FCB110N65F,仙童(Fairchild)产品一站式供应商。
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