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FDB0190N807L 零件图片（仅供参考）

FDB0190N807L

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FDB0190N807L 规格参数

型号:FDB0190N807L
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-263-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:249 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:19110 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
FDB0190N807L，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。

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FDB0190N807L 基本参数：

电子零件型号：FDB0190N807L
原始制造厂商：仙童（Fairchild，已被安森美ONSEMI收购）
技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询FDB0190N807L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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