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零件图片（仅供参考）
FDB024N08BL7
规格参数
  • 制造商产品型号：FDB024N08BL7
  • 制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：178nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13530pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：246W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
  • FDB024N08BL7，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDB024N08BL7
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild），已被ON安森美收购
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询FDB024N08BL7的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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