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FDC5614P-G 零件图片（仅供参考）

FDC5614P-G
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FDC5614P-G 规格参数

  • 型号:FDC5614P-G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SuperSOT-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:759 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SuperSOT-6
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • FDC5614P-G，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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FDC5614P-G 基本参数：

  • 电子零件型号：FDC5614P-G
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild，已被安森美ONSEMI收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询FDC5614P-G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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