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FDD5N50TM_WS 零件图片(仅供参考)

FDD5N50TM_WS
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FDD5N50TM_WS 规格参数

  • 制造商产品型号:FDD5N50TM_WS
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  • 系列:UniFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:40W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:D-Pak
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FDD5N50TM_WS 基本参数:

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