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规格参数
制造商产品型号:FDD850N10LD制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)描述:MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK系列:PowerTrenchFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15.7A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 12A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1465pF @ 25V功率 - 最大值:50W安装类型:表面贴装产品封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD供应商器件封装:TO-252-5FDD850N10LD,仙童(Fairchild)产品一站式供应商。
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