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零件图片（仅供参考）
FDFME2P823ZT
规格参数
  • 制造商产品型号：FDFME2P823ZT
  • 制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：二极管（隔离式）
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：600mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：6-UMLP，6-MicroFET
  • 供应商器件封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
  • FDFME2P823ZT，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDFME2P823ZT
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild），已被ON安森美收购
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询FDFME2P823ZT的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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