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零件图片（仅供参考）
FDMD8900
规格参数
  • 制造商产品型号: FDMD8900
  • 制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V POWER
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A，17A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2605pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 2.1W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 12-PowerWDFN
  • 供应商器件封装: 12-PQFN（3.3x5）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDMD8900
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild），已被ON安森美收购
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V POWER
  • 产品应用分类：FET - 阵列
  • 点击此处查询FDMD8900的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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