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FQB33N10LTM 零件图片（仅供参考）

FQB33N10LTM
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FQB33N10LTM 规格参数

  • 型号:FQB33N10LTM
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-263（D2PAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 16.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3.75W（Ta），127W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • FQB33N10LTM，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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FQB33N10LTM 基本参数：

  • 电子零件型号：FQB33N10LTM
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild，已被安森美ONSEMI收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询FQB33N10LTM的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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