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零件图片(仅供参考)
FQPF2N80YDTU
规格参数
  • 制造商产品型号:FQPF2N80YDTU
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):800V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.3 欧姆 @ 750mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:35W
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-220-3 成形引线
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • FQPF2N80YDTU,仙童(Fairchild)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:FQPF2N80YDTU
  • 原始制造厂商:仙童(Fairchild),已被ON安森美收购
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询FQPF2N80YDTU的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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