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规格参数
制造商产品型号:HGTP2N120CN制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB系列:-IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13ACurrent - Collector Pulsed (Icm):20A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,2.6A功率 - 最大值:104WSwitching Energy:96μJ (开), 355μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:30nC25°C 时 Td(开/关)值:25ns/205nsTest Condition:960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-产品封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220ABHGTP2N120CN,仙童(Fairchild)产品一站式供应商。
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