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MVDF1N05ER2G 零件图片（仅供参考）

MVDF1N05ER2G
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MVDF1N05ER2G 规格参数

  • 制造商产品型号：MVDF1N05ER2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：50V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：330pF @ 25V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • MVDF1N05ER2G，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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MVDF1N05ER2G 基本参数：

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