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NTMFD1D4N02P1E 零件图片（仅供参考）

NTMFD1D4N02P1E
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NTMFD1D4N02P1E 规格参数

  • 型号:NTMFD1D4N02P1E
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-PQFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:最后售卖
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A，2V @ 800A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:960mW（Ta），1W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
  • NTMFD1D4N02P1E，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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NTMFD1D4N02P1E 基本参数：

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