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NTTD1P02R2G 零件图片（仅供参考）

NTTD1P02R2G
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NTTD1P02R2G 规格参数

  • 制造商产品型号：NTTD1P02R2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.45A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 1.45A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：265pF @ 16V
  • 功率-最大值：500mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
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NTTD1P02R2G 基本参数：

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