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NVF6P02T3G 零件图片（仅供参考）

NVF6P02T3G
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NVF6P02T3G 规格参数

  • 型号:NVF6P02T3G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SOT-223（TO-261）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 16 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223（TO-261）
  • 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
  • NVF6P02T3G，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。
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NVF6P02T3G 基本参数：

  • 电子零件型号：NVF6P02T3G
  • 原始制造厂商：仙童（Fairchild，已被安森美ONSEMI收购）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询NVF6P02T3G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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