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NXH450N65L4Q2F2S1G 零件图片(仅供参考)

NXH450N65L4Q2F2S1G
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NXH450N65L4Q2F2S1G 规格参数

  • 型号:NXH450N65L4Q2F2S1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:40-PIM/Q2PACK(107.2x47)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 650V 167A 365W 40-PIM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:场截止
  • 配置:三级反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):167 A
  • 功率 - 最大值:365 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,225A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):300 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):14630 pF @ 20 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:40-PIM/Q2PACK(107.2x47)
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NXH450N65L4Q2F2S1G 基本参数:

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