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NXV10V125DT1 零件图片（仅供参考）

NXV10V125DT1
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NXV10V125DT1 规格参数

  • 型号:NXV10V125DT1
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:APM21-CGA
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:6 N 沟道（三相逆变器）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6970pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:21-PowerDIP 模块（1.370，34.80mm）
  • 供应商器件封装:APM21-CGA
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NXV10V125DT1 基本参数：

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