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SGP5N60RUFDTU 零件图片(仅供参考)

SGP5N60RUFDTU
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SGP5N60RUFDTU 规格参数

  • 制造商产品型号:SGP5N60RUFDTU
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 8A 60W TO220
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):8A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):15A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:60W
  • 开关能量:88J(开),107J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:16nC
  • 25°C时Td(开/关)值:13ns/34ns
  • 测试条件:300V,5A,40 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):55ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3
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SGP5N60RUFDTU 基本参数:

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