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SSR1N60BTM_WS 零件图片（仅供参考）

SSR1N60BTM_WS
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SSR1N60BTM_WS 规格参数

  • 制造商产品型号：SSR1N60BTM_WS
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：900mA（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 450mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：215pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：D-Pak
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SSR1N60BTM_WS 基本参数：

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